[发明专利]一种制作纵向双栅金属－氧化物－半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610114187.3 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101174566A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 屠晓光;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作纵向双栅MOS器件的方法，该方法包括：A.在SOI衬底的顶层硅表面采用离子注入技术形成N－P－N结构，其中N区高掺杂，P区低掺杂；B.采用电子束曝光和ICP刻蚀方法在形成的N－P－N结构的N区与P区的分界面处形成纵向深槽；C.采用热氧化技术在形成纵向深槽的顶层硅表面形成一层氧化硅；D.采用低压化学气相沉积技术结合正硅酸乙酯TEOS源对所述纵向深槽进行氧化硅填充；E.在填充的氧化硅表面进行光刻，腐蚀氧化硅露出N区和P区；F.在露出的N区和P区表面蒸发金属，通过光刻腐蚀形成电极。利用本发明，实现了光通信中以及芯片系统内部的信息高速传递。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 纵向 金属 氧化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体MOS器件的方法，其特征在于，该方法包括：A、在绝缘体上硅SOI衬底的顶层硅表面采用离子注入技术形成N-P-N结构，其中N区高掺杂，P区低掺杂；B、采用电子束曝光和电感耦合等离子体ICP刻蚀方法在形成的N-P-N结构的N区与P区的分界面处形成纵向深槽；C、采用热氧化技术在形成纵向深槽的顶层硅表面形成一层氧化硅；D、采用低压化学气相沉积技术结合正硅酸乙酯TEOS源对所述纵向深槽进行氧化硅填充；E、在填充的氧化硅表面进行光刻，腐蚀氧化硅露出N区和P区；F、在露出的N区和P区表面蒸发金属，通过光刻腐蚀形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
