[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610115401.7 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101123229A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;中村直人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/485;B23K35/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制界面反应、具有200℃或200℃以上的耐热性的半导体装置，作为该装置中的200℃耐热性的连接方法，是通过组合室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料与Ni类镀敷来实现的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置具有：半导体元件；使用第一连接材料连接在半导体元件的第一面上的支承电极；使用第二连接材料连接在上述支承电极所支承的上述半导体元件的第二面上的引线电极，其特征为，所述支承电极的连接部与所述引线电极的连接部均实施了Ni类镀敷，所述第一连接材料和所述第二连接材料是Cu6Sn5相含量比共晶组成多的Sn类钎料。
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