[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610115987.7 | 申请日： | 2006-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1929124A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克裕;松尾修志 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种能够通过防止最上级互连之间的短路故障来提高使用WPP的半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，在最上级互连与再分布互连之间形成缓冲层。最上级互连由铜膜制成，而缓冲层由铝膜制成。再分布互连由铜膜和镍膜的叠置膜制成。在这样一种半导体器件中，当执行低温与高温之间的温度循环时，应力集中发生在三重点上。缓冲层的存在缓和了三重点上的应力集中，因此可以抑制应力到三重点正下方的界面的传递。由此可以防止由于界面处的应力而引起的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：(a)半导体衬底；(b)层间绝缘膜，其形成于所述半导体衬底上方；(c)最上级互连，其形成为使得所述互连埋于所述层间绝缘膜中；(d)缓冲层，其形成于所述最上级互连上方；(e)再分布互连，其形成于所述缓冲层上方；以及(f)凸点电极，其形成于所述再分布互连的一个端部上方。
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