[发明专利]多晶硅－绝缘层－金属结构的电容及其制作方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅－绝缘层－金属结构的电容及其制作方法，本发明的电容采用多晶硅或金属硅化物栅层作为电容下极板，第一层金属作为电容上极板。其制作的方法是利用多晶硅或金属硅化物栅层作为电容的下极板，在多晶硅或金属硅化物表面覆盖层间介质膜，并在该介质膜中刻蚀形成沟槽，然后依次淀积电容介质膜、金属阻挡层和金属，并用CMP或回刻法去除硅片表面的金属阻挡层和金属。本发明制造工艺相对简单，精度高，单位面积电容值高，电压线性特性好。

主权项

1.一种多晶硅-绝缘层-金属结构的电容，其特征在于：以作为晶体管栅极的多晶硅或金属硅化物栅层作为电容下极板，在多晶硅或金属硅化物栅层表面上的层间介质膜中形成的沟槽，依次淀积在所述沟槽内的电容介质膜、金属阻挡层和金属，所述金属阻挡层和金属作为电容的上极板。