[发明专利]形成源漏底部绝缘隔离的方法无效
| 申请号： | 200610116470.X | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101154615A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王勤;岩垂史 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成源漏底部绝缘隔离的方法，依次包括：浅沟道绝缘形成、栅极绝缘氧化层形成和栅极多晶硅沉积及图形化刻蚀、源漏延伸区自对准注入、侧墙及外延源漏形成、高介电常数介质及金属栅形成，还包括：在栅极刻蚀后，源漏延伸区注入前，进行氧自对准注入，形成源漏区底部的绝缘隔离层。本发明的形成源漏底部绝缘隔离的方法既能有效削弱短沟道效应，又可阻止源/漏极与阱区的漏电，降低源/漏极的PN结电容，且扩大工艺窗口，进一步提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 底部 绝缘 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成源漏底部绝缘隔离的方法，依次包括：浅沟道绝缘形成、栅极绝缘氧化层形成和栅极多晶硅沉积及图形化刻蚀、源漏延伸区自对准注入、侧墙及外延源漏形成、高介电常数介质及金属栅形成，其特征在于，还包括：在栅极刻蚀后，源漏延伸区注入前，进行氧自对准注入，形成源漏区底部的绝缘隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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