[发明专利]具有低温度系数的超微功耗参考源电路

摘要

本发明公开了一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路，保证不同工艺偏差下参考源温度特性的一致性。其技术方案为：该电路包括：一耗尽型PMOS元件，栅极和源极共同连接至电源端；一可调有效尺寸的增强型NMOS元件阵列，通过控制阵列中切断器件的开合来调整阵列的有效尺寸，该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源；一电阻，并联在该阵列的栅极端和源极端；一相位补偿器，并联在该阵列的漏极端和源极端；一NMOS管放大元件，栅极与该阵列的漏极端连接，源极接地；一电流镜，输入端连接该NMOS管放大元件的漏极，输出端连接至该阵列的栅极端，以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。本发明应用于集成电路领域。

主权项

1.一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路，用于产生电压参考源和电流参考源，在不同的温度条件下提供一致的参考信号，所述电路包括：一P沟道耗尽型MOS元件，其栅极和源极相连，共同连接至电源端；一可调有效尺寸的N沟道增强型MOS元件阵列，在该阵列中设置至少一个切断器件，通过控制该切断器件的开合来调整该N沟道增强型MOS元件阵列的有效尺寸，该阵列的漏极端与该P沟道耗尽型MOS元件的漏极连接，该阵列的源极端接地，以该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源；一第一电阻，并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端和源极端之间；一相位补偿器，并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端和源极端，用作反馈控制环路的相位补偿；一N沟道MOS管放大元件，栅极与该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端连接，源极接地；一电流镜，输入端连接该N沟道MOS管放大元件的漏极，输出端连接至该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端，以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。