[发明专利]等离子刻蚀方法和装置有效
| 申请号： | 200610116855.6 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153396A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种等离子刻蚀方法和装置，所述方法包括：在反应室内提供一半导体衬底，所述衬底上包括需刻蚀的材料层；通入刻蚀气体，所述气体由射频功率源电离为等离子体；所述射频功率源以脉冲输出的方式输出射频功率。所述装置包括：反应室，所述反应室内部包含刻蚀气体；晶片支撑座，用于承载半导体晶片；第一射频功率源，为所述晶片提供偏置电压；线圈组，设置于所述反应室上部和顶部；第二射频功率源，用于产生射频功率；以及脉冲控制电路，所述第二射频功率源通过脉冲控制电路连接于所述线圈组，以脉冲输出的方式输出射频功率将所述刻蚀气体电离为等离子体。本发明能够产生以脉冲形式输出的等离子体用于刻蚀，提高了刻蚀终点的控制精度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子刻蚀方法，包括：在反应室内提供一半导体衬底，所述衬底上包括需刻蚀的材料层；通入刻蚀气体，所述气体由射频功率源电离为等离子体；其特征在于：所述射频功率源以脉冲输出的方式输出射频功率。
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