[发明专利]非挥发性半导体存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 200610116859.4 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154592A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;金钟雨;陈国庆;李若加 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非挥发性半导体存储器及其制作方法，这种非挥发性半导体存储器采用纳米单晶硅浮栅、实现了单电子存储，而且纳米单晶硅浮栅中的纳米单晶硅离子的密度高，存储能力强。所述非挥发性半导体存储器的制作方法包括：在半导体基体形成隧道氧化层；在隧道氧化层上形成纳米单晶硅层，所述纳米单晶硅层为小丘状的纳米单晶硅颗粒；形成覆盖纳米单晶硅层的层间介电层；在层间介电层上形成多晶硅层；图案化多晶硅层，形成控制栅；图案化层间介电层，形成阻挡氧化层；图案化所述纳米单晶硅层，形成浮栅；掺杂半导体基板形成分离的源极和漏极；图案化隧道氧化层，形成栅氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基体形成隧道氧化层；在隧道氧化层上形成纳米单晶硅层，所述纳米单晶硅层为小丘状的纳米单晶硅颗粒；形成覆盖纳米单晶硅层的层间介电层；在层间介电层上形成多晶硅层；图案化多晶硅层，形成控制栅；图案化层间介电层，形成阻挡氧化层；图案化所述纳米单晶硅层，形成浮栅；掺杂半导体基板形成分离的源极和漏极；图案化隧道氧化层，形成栅氧化层，所述控制栅、阻挡氧化层、浮栅以及栅氧化层共同构成半导体存储器的栅极结构，在栅极结构上加电压时，源极和漏极之间能形成导电沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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