[发明专利]双镶嵌结构的形成方法有效
| 申请号： | 200610116880.4 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154622A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王向东;赵永红;高俊涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括步骤：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；在所述层间介电层上和所述通孔内壁处形成一阻挡层；利用光刻胶在所述阻挡层上进行沟槽的图形化处理；刻蚀所述阻挡层和所述层间介电层形成沟槽；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。本方法可以防止光刻时衬底材料对光刻胶的毒化，改善了双镶嵌工艺中易出现的金属连线中断的问题，提高了双镶嵌结构的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；在所述层间介电层上和所述通孔内壁处形成一阻挡层；利用光刻胶在所述阻挡层上进行沟槽的图形化处理；刻蚀所述阻挡层和所述层间介电层形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
