[发明专利]返工处理方法有效
| 申请号： | 200610116882.3 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154047A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李建茹;宋铭峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/42;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表层剥除步骤，可去除介质表面变质的薄层，在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变，进而不再形成刻蚀开路缺陷，获得良好的返工效果。 | ||
| 搜索关键词： | 返工 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。
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