[发明专利]改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺无效
| 申请号： | 200610116900.8 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159237A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，包括步骤：高压N阱和P阱的光刻、离子注入和退火；N型和P型扩散区的光刻、离子注入和退火；衬垫氧化膜和氮化硅的生长和淀积；浅沟隔离槽的光刻与刻蚀；浅沟隔离槽衬垫氧化膜的生长；进行非晶化硅离子的注入；浅沟隔离槽氧化硅的填入，并利用化学机械抛光实现平坦化；去除氮化硅，并腐蚀氧化硅直至有源硅上面的氧化层全部去净；氧化高压管栅氧。可提高浅沟隔离槽边缘区域的氧化速率，改善高压栅氧化硅层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高压 均匀 预非晶化 离子 注入 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，包括步骤：(1)高压N阱和P阱的光刻、离子注入和退火；(2)N型和P型扩散区的光刻、离子注入和退火；(3)在整片硅片上进行衬垫氧化硅和氮化硅的生长和淀积；(4)对浅沟隔离槽进行光刻，然后刻蚀掉该区域的氮化硅、氧化硅和硅到所需要的厚度；(5)生长浅沟隔离槽衬垫氧化膜；(6)填入浅沟隔离槽氧化硅，并利用化学机械抛光实现平坦化；(7)去除所述氮化硅，并腐蚀所述衬垫氧化硅直至有源硅上面的氧化层全部去净；(8)氧化高压管栅氧；其特征在于，在所述步骤(5)和(6)之间还包括如下步骤：非晶化硅离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
