[发明专利]栅极侧壁层的形成方法有效
| 申请号： | 200610116909.9 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154574A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;朴松源;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种栅极侧壁层的形成方法，包括步骤：提供表面具有至少一个栅极的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；刻蚀所述第一和第二介质层；对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层。本发明的栅极侧壁层的形成方法，在不增加工艺步骤的前提下，减小了工艺制作中的热预算，改善了侧壁层在湿法腐蚀工艺中易出现凹陷，造成器件性能衰退的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 侧壁 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有至少一个栅极的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；刻蚀所述第一和第二介质层；对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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