[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200610116942.1 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101162732A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 雷明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王素萍 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于解决高压工艺中隔离漏电的金属场效应晶体管结构及其制作方法，不增加特别的光刻板工序和工序步骤变动，仅通过多晶硅栅版图设计时在金属布线层(7)和场氧化隔离区(3)之间保留多晶硅栅层(1)。接触孔版图设计时，将源区(4)和多晶硅栅层(1)相连并且接地或者接某固定电压，就能有效地抑制MOS场效应晶体管阈值电压偏低造成的隔离漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应晶体管，包含介质层(2)、场氧化隔离区(3)、主要由源区(4)和漏区(5)组成的有源区、阱区(6)、金属布线(7)、以及钨塞(8)，其中场氧化隔离区(3)使有源区之间隔离；场氧化隔离区(3)下端有阱区而向上依次有介质层区(2)和金属布线(7)，其特征在于，在所述金属布线(7)和所述场氧化隔离区(3)之间设置所述多晶硅栅层(1)；将所述源区(4)与所述多晶硅栅层(1)相连并且接地。
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