[发明专利]一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法无效
| 申请号： | 200610117154.4 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1933263A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;曹萌;劳燕锋;黄占超;刘成;谢正生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 应变 多量 发光强度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高III-V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征在于具体步骤是：a.将III-V族应变多量子阱生长片解理为正方形或长方形；b.用等离子体增强化学气相沉积方法对III-V族应变量子阱生长片的表面用Si3N4作掩膜进行保护；c.用氢氟酸将作保护的掩膜去除一半，使应变量子阱生长片的一半表面露出来；d.采用干法刻蚀方法对III-V族应变量子阱生长片的覆盖层进行刻蚀；e.刻蚀后用HF将剩余Si3N4掩膜去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610117154.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三裂解传动整流变压器的制造方法
- 下一篇：廉价多晶硅薄膜太阳电池
