[发明专利]抗电致迁移的导电装置无效
| 申请号： | 200610118153.1 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101179064A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张文杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗电致迁移的导电装置，包括一铜铝金属层、一导孔柱使铜铝金属层与一导电金属层电性连接，以及一氮化钛/钛金属所组成的抗电致迁移金属层，位于铜铝金属层的表面，且介于铜铝金属层与导孔柱之间；透过提高氮化钛层电阻率与降低钛金属层电阻率，使导电装置的电流密度分布值降低，以减轻电致迁移效应的发生，并以此提高导电装置的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 抗电致 迁移 导电 装置 | ||
【主权项】：
1.一种抗电致迁移的导电装置，包括：一铜铝金属层；一导孔柱，电性连接该铜铝金属层与一导电金属层；其特征在于：还包括一位于该铜铝金属层的表面且介于该铜铝金属层与该导孔柱之间用以降低该导孔柱终端结构的电致迁移效应的抗电致迁移金属层。
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