[发明专利]高压PMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610118295.8 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183648A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压PMOS晶体管及其制造方法，可解决高压PMOS晶体管的击穿电压和饱和电流之间无法同时取得较高性能的矛盾。所述制造方法包括：进行高压N阱和P型埋沟离子注入；进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；进行栅氧化层的淀积；进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；进行自对准的轻掺杂源离子注入；进行侧墙的淀积与刻蚀；使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；去除光刻胶。所述高压PMOS晶体管包括：多晶硅栅，由各占一定长度比例的N型多晶硅栅和P型多晶硅栅组成。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 pmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压PMOS晶体管的制造方法，包括：(1)进行高压N阱和P型埋沟离子注入；(2)进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；(3)进行栅氧化层的淀积；(4)进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；(5)进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；(6)进行自对准的轻掺杂源离子注入；(7)进行侧墙的淀积与刻蚀；其特征在于，还包括：(8)使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；(9)去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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