[发明专利]栅极及其制造方法有效
申请号: | 200610118811.7 | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN101192522A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 张海洋;陈海华;黄怡;马擎天 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种栅极的制造方法,包括:提供一半导体基底;在所述半导体基底上形成第一介质层;在所述第一介质层上至少形成一第二介质层;在所述第一介质层和第二介质层中形成沟槽,所述沟槽底部露出所述基底表面;去除所述第二介质层;在所述第一介质层的沟槽中及所述第一介质层上形成导电层;在所述导电层上旋涂光刻胶层并图形化,形成栅极图形,所述栅极图形位于所述第一介质层的沟槽的上方;通过刻蚀去除未被所述栅极图形覆盖的导电层和第一介质层。该方法可较准确控制形成的栅极底部的线宽。 | ||
搜索关键词: | 栅极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种栅极的制造方法,包括:提供一半导体基底;在所述半导体基底上形成第一介质层;在所述第一介质层上至少形成一第二介质层;在所述第二介质层和第一介质层中形成沟槽,所述沟槽底部露出所述基底表面;去除所述第二介质层;在所述第一介质层的沟槽中及所述第一介质层上形成导电层;在所述导电层上旋涂光刻胶层并图形化,形成栅极图形,所述栅极图形位于所述第一介质层的沟槽的上方;通过刻蚀去除未被所述栅极图形覆盖的导电层和第一介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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