[发明专利]接触孔的填充方法无效
| 申请号： | 200610118813.6 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192560A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种接触孔的填充方法，包括步骤：提供一表面具有接触孔开口的硅衬底；在所述接触孔开口内形成粘附层；对所述硅片进行快速热退火处理；在所述粘附层上面形成阻挡层；在所述接触孔开口内的所述阻挡层上填充金属。本发明的填充方法可应用于半导体制造领域中，其通过对接触孔填充工艺进行改进，解决了现有的0.25微米以下工艺中出现的接触孔形成质量较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的填充方法，包括步骤：提供一表面具有接触孔开口的硅衬底；在所述接触孔开口内形成粘附层；对所述硅衬底进行快速热退火处理；在所述粘附层上形成阻挡层；在所述接触孔开口内的所述阻挡层上填充金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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