[发明专利]半导体器件金属接触粘接层的制造方法无效
| 申请号： | 200610118836.7 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192562A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;胡宇慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件金属接触粘接层的制造方法，包括：在半导体衬底上形成金属互连基底；湿清洗所述金属互连基底；在所述清洗后的金属互连基底上沉积粘接基层；在所述粘接基层上沉积阻挡层；进行第一退火过程，以形成第一金属硅化物粘接层；去除所述粘接基层和阻挡层；进行第二退火过程，以形成第二金属硅化物粘接层。通过去除沉积粘接基层前的干式清洗步骤，可避免等离子体工艺造成的器件表面损伤，继而抑制沉积互连金属层之前在金属硅化物粘接层与互连基底间形成的接合尖峰效应，降低了器件的漏电流，增强了器件性能的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 接触 粘接层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件金属接触粘接层的制造方法，包括：在半导体衬底上形成金属互连基底；湿清洗所述金属互连基底；在所述清洗后的金属互连基底上沉积粘接基层；在所述粘接基层上沉积阻挡层；进行第一退火过程，以形成第一金属硅化物粘接层；去除所述粘接基层和阻挡层；进行第二退火过程，以形成第二金属硅化物粘接层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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