[发明专利]半导体器件的栅极制造方法有效
| 申请号： | 200610118837.1 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192524A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成掩膜层并图案化所述掩膜层以定义栅极的位置；刻蚀所述掩膜层和多晶硅层形成栅极；氧化黏附于所述栅极根部的聚合物；湿法去除氧化后的聚合物；移除所述掩膜层。本发明的方法能够获得外形轮廓良好的栅极，特别适合于线宽特征尺寸在65nm以下的栅极的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成介电层；在所述介电层上形成应力薄膜；图案化所述应力薄膜以形成定义栅极位置的沟槽；在所述应力薄膜上沉积多晶硅层；在与所述沟槽位置对应的多晶硅层表面形成掩膜图形；利用所述掩膜图形刻蚀所述多晶硅层形成栅极；移除所述应力薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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