[发明专利]半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法

摘要

本发明提供用于形成集成电路器件的方法，包括：提供包含表面区域的半导体衬底；形成覆盖在表面区域上的多晶硅层；形成覆盖在多晶硅层上的覆盖层；形成覆盖在多晶硅层上的Al₂O₃层以形成包括多晶硅层、覆盖层和Al₂O₃层的夹层结构；图案化夹层以形成栅极结构，栅极结构包括部分多晶硅层、部分覆盖层和部分Al₂O₃层；形成覆盖在栅极结构上的具有上表面的层间电介质材料；图案化层间电介质材料以形成开口，暴露栅极结构；用多晶硅材料填充开口至层间电介质材料上表面附近；进行化学机械抛光，以去除部分层间电介质层并同时去除部分多晶硅材料，直至Al₂O₃层中覆盖在栅极结构上的部分暴露；利用Al₂O₃层的若干部分作为抛光停止层，同时防止暴露多晶硅层的任何部分。

主权项

1.一种用于形成集成电路器件的方法，该方法包括：提供包含表面区域的半导体衬底；形成覆盖在所述表面区域上方的多晶硅层；形成覆盖在所述多晶硅层上方的覆盖层；利用原子层沉积形成覆盖在所述多晶硅层上方的Al2O3层，以形成包括所述多晶硅层、覆盖层和Al2O3层的夹层结构；图案化所述夹层层，以形成多个栅极结构，所述栅极结构中的每一个包括所述多晶硅层的一部分、所述覆盖层的一部分和所述Al2O3层的一部分；形成覆盖在所述多个栅极结构上方的具有上表面的层间电介质材料；图案化所述层间电介质材料，以在所述层间电介质材料的一部分中形成开口，来暴露出所述栅极结构中的每一个；用多晶硅填充材料填充所述开口至所述层间电介质材料的所述上表面附近；进行化学机械抛光过程，以去除所述层间电介质层的一部分并同时去除所述多晶硅填充材料的一部分；持续所述化学机械抛光过程，直至所述Al2O3层中覆盖在所述栅极结构中的一个上方的部分已经被暴露出来为止；以及利用所述Al2O3层中的若干部分作为抛光停止层，同时防止所述多晶硅层的任何部分的任何暴露。