[发明专利]检验闪存单元电性能的方法无效
| 申请号： | 200610119139.3 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197196A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金泰圭;金钟雨;叶向华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/52 | 分类号： | G11C29/52;G11C29/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检验闪存单元电性能的方法，包括下列步骤：对闪存单元做规定时间的存储电子编程，通过测量阈值电压，将达到规定参考值的闪存单元筛选出来作为第一批初步符合要求的闪存单元，随后对筛选出的闪存单元进行一定时间的再次存储电子编程，再对这些闪存单元进行烘培，最后再对经过烘培的这些闪存单元再次测量阈值电压，判断是否仍能够维持在参考值，以此来确定闪存单元最终是否符合电性能要求。通过上述检验方法，能够使得那些电性能处于临界状态的闪存单元由于再次存储电子编程而获得阈值电压余量，弥补烘培造成的阈值电压下降，从而使阈值电压维持在参考值通过电性能检测，因而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 检验 闪存 单元 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检验闪存单元电性能的方法，包括首次存储电子编程、预检、使用模拟、终检，其特征在于，在所述使用模拟之前对于通过预检的闪存单元再次进行存储电子编程。
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