[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610119141.0 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197285A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;韩秋华;杜珊珊;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；刻蚀所述氧化层和氮化硅层形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；利用所述自对准阻挡层为掩膜在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；移除所述自对准阻挡层。本发明能够在利用自对准工艺形成金属硅化物的过程中有效地避免侧壁间隔物下方凹陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法：包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；刻蚀所述氧化层和所述氮化硅层形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；移除所述自对准阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119141.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
