[发明专利]改善通孔金属连接缺陷的方法有效
| 申请号： | 200610119157.1 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101196691A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善通孔金属连接缺陷的方法，包括下列步骤：在金属层上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成图案化第一光阻层；以第一光阻层为掩膜，蚀刻氧化硅层至露出金属层，形成接触孔；去除第一光阻层；在氧化硅层形成抗反射层，且抗反射层填充满接触孔；在抗反射层上形成图案化第二光阻层；以第二光阻层为掩膜，蚀刻抗反射层和氧化硅层，形成开口宽度大于等于500nm的沟槽，与接触孔连通构成通孔；去除第二光阻层和抗反射层；在通孔内填充满金属。经过上述步骤，后续沉积的材料，不会陷于通孔内的孔洞中，进而实现提高元件之间电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 连接 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善通孔金属连接缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：在金属层上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成图案化第一光阻层；以第一光阻层为掩膜，蚀刻氧化硅层至露出金属层，形成接触孔；去除第一光阻层；在氧化硅层形成抗反射层，且抗反射层填充满接触孔；在抗反射层上形成图案化第二光阻层；以第二光阻层为掩膜，蚀刻抗反射层和氧化硅层，形成开口宽度大于等于500nm的沟槽，与接触孔连通构成通孔；去除第二光阻层和抗反射层；在通孔内填充满金属。
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