[发明专利]晶片压焊键合方法及其结构

摘要

一种晶片间三维互连的方法，包括：首先将两半导体晶片面对面粘合，再将其中一片进行背面减薄并完成晶片之间三维互连，然后在完成互连的半导体晶片背面再进行面对背粘合并减薄、互连，然后重复面对背粘合、减薄、互连工艺，将多个半导体晶片表面顺次层叠。本发明还提供一种晶片间的三维互连结构，两半导体晶片表面相对粘结，在其中一半导体晶片背面衬底中形成有第二连接焊块，多个半导体晶片顺次层叠于所述具有第二连接焊块的半导体晶片衬底之上。本发明方法在键合中不会引起晶片破损，形成的半导体晶片键合结构能够节省半导体晶片上的芯片面积。

主权项

1.一种晶片压焊键合方法，包括：在第一半导体晶片和第二半导体晶片的钝化层中形成第一沟槽和第一连接孔，所述第一连接孔底部露出引线焊块；在所述第一沟槽和第一连接孔中填充第一金属材料，所述第一沟槽中的第一金属材料形成第一连接焊块；将所述第一半导体晶片表面和第二半导体晶片表面粘合，其中所述第一半导体晶片、第二半导体晶片表面相应位置的第一连接焊块相接触；将所述第二半导体晶片背面衬底减薄，并在该半导体晶片背面衬底中形成第二沟槽和贯穿该半导体晶片衬底和器件层的第二连接孔，所述第二连接孔底部露出该半导体晶片的第一连接焊块；在所述第二连接孔侧壁形成介质层，在所述第二沟槽和第二连接孔中填充第二金属材料，所述第二沟槽中的第二金属材料形成第二连接焊块。