[发明专利]缩小EEPROM中隧道窗口的方法无效
| 申请号： | 200610119191.9 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197266A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙亚亚;刘煊杰;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工艺方法，其公开了一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，包括步骤：在衬底上长一层氧化层；再在氧化层上生长一层氮化层；通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；用LOCOS法生长一层栅氧化层；湿法刻蚀去掉剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。本发明的缩小EEPROM中隧道窗口的方法能顺利得到较小尺寸的隧道窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 eeprom 隧道 窗口 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上长一层氧化层；(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
