[发明专利]可改善温度效应的高压MOS器件模型

摘要

本发明公开了一种可改善温度效应的高压MOS器件模型，包括核心MOS器件，该核心MOS器件的漏极与电源之间电连接第一可变电阻、该核心器件的源极与地之间电连接第二可变电阻，采用温度系数对该第一可变电阻的电阻值和该第二可变电阻的电阻值进行修正。本发明由于采用了温度系数对高压MOS器件模型外接的可变电阻进行修正，提高了模型对器件高低温特性拟合的灵活性及准确性，可在常温提取出的高压模型基础上，方便地进行温度效应模型参数的提取，极大地提高了高压模型对器件温度特性的模拟精度、有助于改善集成电路设计工作的效率与准确性，缩小产品设计周期及降低成本。

主权项

1.一种可改善温度效应的高压MOS器件模型，包括核心MOS器件，该核心MOS器件的漏极与电源之间电连接第一可变电阻、该核心器件的源极与地之间电连接第二可变电阻，该第一可变电阻的电阻值r1和该第二可变电阻的电阻值r2分别根据下述表达式确定：r1＝rdsd*(1+vv1*|v1(d1，d11)|)/(w+weff)，r2＝rdss*(1+vv1*|v2(d2，d21)|)/(w+weff)，其中，rdsd为电阻常数，其数值范围是：1E-5～1E-3，rdss为另一电阻常数，其数值范围是：1E-5～1E-3，vv1为电阻的电压系数，其数值范围是：1E-2～1E2，weff为有效的沟道宽度，其数值范围是：1E-10～1E-6，d1和d11是等效电路中第一可变电阻两端的二个内部电路节点，v1(d1，d11)为r1两端的电压降，d2和d21是等效电路中第二可变电阻两端的二个内部电路节点，v2(d2，d21)为r2两端的电压降，W为高压MOS器件的沟道宽度；其特征是，r1和r2分别根据下列关系式修正：r1(T)＝r1(RT)*(1+tc1x*(T-RT)+tc2x*(T-RT)*(T-RT))，r2(T)＝r2(RT)*(1+tc1x*(T-RT)+tc2x*(T-RT)*(T-RT))，其中，r1(RT)是第一可变电阻在室温为RT时的电阻值，r2(RT)是第二可变电阻在室温为RT时的电阻值，r1(T)是第一可变电阻在温度为T时的电阻值，r2(T)是第二可变电阻在温度为T时的电阻值，tc1x为电阻的一阶温度系数，其数值范围是：1E-5～1E-1，tc2x为电阻的二阶温度系数，其数值范围是：1E-7～1E-3。