[发明专利]蚀刻铜或者铜合金的方法有效
| 申请号： | 200610119363.2 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101195917A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/46 | 分类号： | C23F1/46;C23F1/14;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种蚀刻铜或者铜合金的方法，包括：将带有铜或者铜合金的晶圆以及蚀刻剂放入电化学反应装置的反应槽中，去除需蚀刻的铜或者铜合金；导通电化学反应装置。本发明可以避免蚀刻过程中蚀刻速率发生变化，并且将蚀刻掉的铜或者铜合金重新以金属铜的形式在电化学反应装置的阴极回收，避免了铜的络合离子对环境的污染，而且，使本发明所述的蚀刻剂可以重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 或者 铜合金 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻铜或者铜合金的方法，包括如下步骤：将带有铜或者铜合金的晶圆以及蚀刻剂放入电化学反应装置的反应槽中，去除需蚀刻的铜或者铜合金；导通电化学反应装置。
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