[发明专利]制造接触的系统和方法有效
| 申请号： | 200610119379.3 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197321A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 韩涛;范建国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造接触的系统和方法。根据一个实施例，本发明提供了一种制造集成电路的方法。所述方法包括提供半导体基片的步骤。所述方法还包括在半导体基片上限定多个接触区的步骤。所述方法还包括在多个接触区上形成多个电介质结构的步骤。另外，所述方法包括在半导体基片上形成多个开口的步骤。例如，每一个开口以至少深度、宽度和高宽比为特征。此外，所述方法包括使用第一类型的材料在开口内执行沉积的步骤，所述第一类型的材料包括钛材料。所述方法还包括在预定条件执行退火的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 接触 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体基片；在所述半导体基片上限定多个接触区；在所述多个接触区上形成多个电介质结构；在所述半导体基片上形成多个开口，每一个所述开口以至少深度、宽度和高宽比为特征；使用第一类型的材料在所述开口内执行沉积，所述第一类型的材料包括钛材料；在预定条件执行退火，所述预定条件包括预定范围的温度和预定范围的氧浓度，所述氧浓度的预定范围大约是在百万分之141到百万分之1000之间；以及通过把钨材料填充到所述多个开口中来形成金属接触，所述金属接触与低电阻值有关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119379.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
