[发明专利]浮栅闪存器件结构无效
| 申请号： | 200610119400.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202308A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金勤海 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。本发明通过上述结构，使得浮栅的尖角更尖，从而大大的提高了浮栅闪存器件的耐用度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述“Z”字形控制栅的下部为本体部分，所述“Z”字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。
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