[发明专利]一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法，该OTP器件除包括存储器晶体管(8)、多晶硅浮栅，还包括PIP电容(9)，即利用PIP电容代替常规OTP结构中的晶体管电容，并且PIP电容的下电极(6)作为浮栅控制存储器晶体管的沟道，PIP电容的上电极(7)作为浮栅的控制端。本发明由于利用现有工艺中PIP电容，通过改变版图设计与低压逻辑晶体管共同构成OTP器件，并且本发明可完全保持现有PIP工艺不变，不需要特别制作OTP编程所需的高压结，即可实现结构简单、编程效果良好、可靠性高的嵌入式OTP器件。

主权项

1.一种多晶硅电容耦合OTP器件，包括存储器晶体管、多晶硅浮栅，其特征在于，还包括PIP电容，并且所述PIP电容的下电极作为浮栅控制所述存储器晶体管的沟道，所述PIP电容的上电极作为浮栅的控制端。