[发明专利]一种二极管串结构

摘要

本发明公开了一种多晶硅二极管串结构，该二极管串结构在硅衬底(14)的场氧化绝缘层(13)上形成多晶硅作为若干个二极管单元的载体，二极管单元由P型注入区(10)与N型注入区(11)组成，相邻两个二极管单元的P型注入区与N型注入区交替排列成串，且相邻两个二极管单元之间用金属氧化硅化物(9)来形成连接。上述二极管串结构可应用于射频电路或使用正向的二极管串的电路的普通模拟电路和静电保护电路中。本发明由于在设计上利用了多晶硅结构且本发明的二极管串的结构在场氧化绝缘层上，可以在实现相同个数的二极管串时，比常规的二极管结构面积更小、漏电流更小且寄生电容小。

主权项

1.一种二极管串结构，其特征在于，在硅衬底的场氧化绝缘层上形成多晶硅作为若干个二极管单元的载体，所述二极管单元由P型注入区与N型注入区组成，相邻两个二极管单元的P型注入区与N型注入区交替排列成串，且相邻两个二极管单元之间用金属氧化硅化物来形成连接。