[发明专利]针对大锡球的晶圆减薄制程无效
| 申请号： | 200610119538.X | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202201A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 靳永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其中，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。该制程首先在晶圆上沉积一层金属介质层，在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在光胶层开孔；在光胶层的开孔内形成锡球；在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。本发明还提供另一制程，首先在晶圆上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；蚀刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；最后，在金属介质层的上方粘贴保护胶，然后进行晶背研磨。与现有技术相比，本发明即使利用普通的紫外胶也能很好地保护大锡球。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 大锡球 晶圆减薄制程 | ||
【主权项】：
1.一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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