[发明专利]有机半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610121671.9 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136454A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄良莹;林宗贤;郑翔远;胡堂祥 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种有机半导体元件的制造方法，此方法是在基底上依序形成栅极导体层与栅介电层。然后，在栅极导体层两侧的栅介电层上分别形成图案化金属层，接着，在各个图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成一电极改质层，其与所覆盖的图案化金属层构成一源极/漏极。之后，在二源极/漏极之间及其上方形成一有机半导体层，以做为一有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体元件的制造方法，包括：在基底上形成栅极导体层；在该基底与该栅极导体层上形成栅介电层；在该栅极导体层两侧的该栅介电层上分别形成图案化金属层；于各该图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成电极改质层，各该图案化金属层与其上所覆盖的该电极改质层做为源极/漏极；以及在该源极/漏极之间及其上方形成有机半导体层，以做为有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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