[发明专利]形成金属凸块的方法有效
申请号: | 200610126107.6 | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN101131948A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽;刘志华 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明关于提供一种形成金属凸块的方法,包括以下步骤:提供一个具有数个导电焊垫的基板;在基板上形成防焊层,且该防焊层具有第一开口以露出导电焊垫;在防焊层上形成光阻层,且该光阻层具有第二开口以露出导电焊垫;在光阻层上形成导电层,且该导电层覆盖该第二开口的侧壁、该第一开口的侧壁以及导电焊垫;在导电层上电镀金属层,且该金属层填满第一开口与第二开口;进行平坦化,以去除光阻层上的导电层以及金属层,只留下位于第一开口与第二开口中的导电层以及金属层;移除光阻层并进行回焊,以形成金属凸块。 | ||
搜索关键词: | 形成 金属 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成金属凸块之方法,包含:提供一基板,其上设有数个导电焊垫;在该基板上形成一个图案化的防焊层,该防焊层具有数个第一开口以露出该等导电焊垫;在该防焊层上形成一图案化的光阻层,该光阻层具有数个第二开口以露出该等导电焊垫;在该光阻层上形成一导电层,该导电层覆盖该光阻层之该等第二开口的侧壁、该防焊层之该等第一开口的侧壁以及该等导电焊垫;在该导电层上电镀一金属层,该金属层填满该等第一开口与该等第二开口;进行平坦化,以去除该光阻层上的该导电层以及该金属层,只留下位于该等第一开口与该等第二开口中的导电层以及金属层;以及移除该光阻层,并露出剩余的导电层以及金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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