[发明专利]用于构图电流垂直平面磁致电阻器件的双研磨工艺无效
| 申请号： | 200610131732.X | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1945870A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 洪英;威普尔·P·贾亚塞卡拉 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电流垂直平面(CPP)传感器及其制造方法，其防止了由于再沉积材料导致的在势垒/间隔层侧面的电流分流。进行第一离子研磨从而至少去除自由层。可以进行快速掠射离子研磨从而去除累积在自由层和势垒/间隔层侧面的少量再沉积物。然后沉积绝缘层从而在随后的制造期间保护自由层/势垒层的侧面，所述随后的制造可包括定义该传感器的其余部分的其它离子研磨以及去除该其它离子研磨形成的再沉积物的另一掠射离子研磨。这导致传感器在传感器的侧面没有电流分流且没有对传感器层的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 构图 电流 垂直 平面 致电 器件 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻传感器，包括：传感器堆叠，具有被钉扎层结构、自由层、以及夹在该被钉扎层和自由层之间的非磁层，该传感器堆叠具有配置有台阶的侧边缘；以及绝缘层，形成在该传感器的所述侧边缘。
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