[发明专利]差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 200610134820.5 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1974372A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 唐慧;陈信琦;李长春;祝永峰 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01L1/18;G01K7/16;B81C1/00;B81C3/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 110043辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片，芯片结构包括敏感电阻、硅膜片和玻璃基底，其特征在于在芯片中间形成2个相对独立的差压敏感单元和绝压敏感单元：1个硅电阻为温度敏感电阻，分布在膜正面周边的支撑硅基上，与电极引线和压焊焊盘金属键合形成温度敏感单元III。本发明的关键技术在于制作过程的工艺兼容性，差压敏感单元I和绝压敏感单元II是利用硅材料的压阻效应，将被测压力信息转换成电阻变化信号输出；温度敏感单元III是利用硅材料的热阻效应，将环境温度信息转换成电阻变化信号输出。本发明方法使差压/绝压/温度三参数传感器性能可靠、成本降低，得以批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 绝压 温度 参数 单片 集成 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片，芯片结构包括敏感电阻、硅膜片和玻璃基底，其特征在于在芯片中间形成2个相对独立的差压敏感膜空腔区域和绝压敏感膜片空腔区域：多个凸起的独立P型硅电阻分别分布在膜片正面两个区域，与电极引线、压焊焊盘连接构成两个惠斯登电桥；其中一个区域的膜片背面是由支撑硅基及空腔区与玻璃基底有孔处形成导压的钢性连接压腔，构成差压敏感单元I，另一膜片背面周边的支撑硅基及空腔区与玻璃基底无孔处形成真空腔，构成绝压敏感单元II，1个硅电阻为温度敏感电阻，分布在膜正面周边的支撑硅基上，与电极引线和压焊焊盘金属键合形成温度敏感单元III。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳仪表科学研究院，未经沈阳仪表科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610134820.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
