[发明专利]硅金键合方法无效
| 申请号： | 200610135263.9 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1958437A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙道恒;吕文龙;王凌云;刘益芳;吴德志 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森;张耕祥 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 硅金键合方法，涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质，基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt％的磷酸进行扩孔处理；制备键合晶片：将2片硅片放入键合器，烘干后在N2保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPa提高到3.03MPa，晶片的键合品质得到显著提高；而晶片的断裂界面没有发生什么变化，说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅金键合 方法 | ||
【主权项】：
1.硅金键合方法，其特征在于其具体步骤为：1)采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发的方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt％的磷酸进行扩孔处理；2)制备键合晶片：将2片硅片放入键合器，烘干后在N2保护下退火得键合晶片。
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