[发明专利]半导体材料、其制造方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 200610136555.4 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1956213A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 关章宪;谷由加里;柴田典义 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;财团法人日本精细陶瓷中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/00;H01L23/00;H01L21/205;C30B25/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的半导体材料，使用该半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面，富－碳表面满足比率R＝(I284.5/I282.8)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器(XPS)测量时，I282.8(ISiC)是在与化学计量SiC有关的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度，以及I284.5 (IC)是在与石墨、SiCx (x＞1)或SiyCH1－y (y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料，包括由(0001)-面梯层和(11-2n)-面台阶构成的阶梯表面结构，其中n≥0，梯层具有等于或大于40nm的宽度，台阶具有等于或大于5nm的高度。
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