[发明专利]有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统有效
| 申请号： | 200610137737.3 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101170076A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 詹川逸;刘俊彦;曾章和 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/32;G09F9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种有机电激发光元件的制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一元件区域与第二元件区域；形成非晶硅层于该基板上方；形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；移除该保护膜；以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 机电 激发 元件 制造 方法 影像 显示 系统 | ||
【主权项】：
1.一种有机电激发光元件的制造方法，包括：提供基板，该基板包括含有多个像素的像素区域，其中每一像素内包括第一元件区域与第二元件区域；形成非晶硅层于该基板上方；形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
