[发明专利]半导体晶体的生产方法有效
| 申请号： | 200610137998.5 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1958886A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎史郎;平田宏治;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;山田祐嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过采用助熔剂的助熔剂法生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，所述方法包括在至少部分由可溶于助熔剂的材料形成的衬底表面上生长半导体晶体，同时使助熔剂可溶材料从衬底表面溶于助熔剂中，所述衬底表面与生长半导体晶体的表面相对。
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