[发明专利]FET器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种芯片，包括：有源半导体区和场效应晶体管(“FET”)，所述场效应晶体管(“FET”)具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区。所述FET具有在所述沟道区的长度方向上的纵向和所述沟道区的宽度方向上的横向。掩埋介质应力产生区，具有在所述有源半导体区的一部分，例如，有源半导体区的东部分的主表面下面的第一深度处水平延伸的上表面。表面介质应力产生区，在所述有源半导体区的所述主表面处设置为侧向邻近所述有源半导体区。表面介质应力产生区从所述主表面延伸至基本上不大于所述第一深度的第二深度。通过所述掩埋和表面介质应力产生区施加的应力结合在一起给所述FET的所述沟道区施加剪切应力。

主权项

1.一种芯片，包括：有源半导体区，具有主表面和从所述主表面延伸至所述主表面下面的第一深度的厚度；场效应晶体管(“FET”)，具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区，所述沟道区的长度取向在所述有源半导体区的纵向上，而所述沟道区的宽度取向在与所述纵向垂直的所述有源半导体区的横向上；第一介质应力产生区，侧向邻近所述有源半导体区的第一边缘，所述第一介质应力产生区从所述有源半导体区的所述主表面向下延伸至基本上不大于所述第一深度的深度；以及第二介质应力产生区，只在与所述第一边缘相对的所述有源半导体区的第二边缘处的一部分所述有源半导体区下面，所述第二介质应力产生区具有在所述第一深度水平延伸的上表面，所述第二介质应力产生区与所述有源半导体区共享一个边缘，所述边缘在远离所述上表面的方向上延伸，所述第一介质应力产生区在第一方向上给所述沟道区施加第一应力，而所述第二介质应力产生区在与所述第一方向相反的第二方向上给所述沟道区施加第二应力，以使所述第一和第二应力结合在一起给所述沟道区施加剪切应力。