[发明专利]包括具有非对称结构的场效应晶体管的半导体器件和制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200610142102.2 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1945853A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 真锅和孝 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和一种制造所述半导体器件的方法，其中所述半导体器件在降低漏极区中的阻抗的同时能够抑制热载流子的产生。具体地，本发明提供一种包括包含半导体硅基板的表面区域中的源极区和漏极区的场效应晶体管的半导体器件，其特征在于，漏极区具有至少包括第一导电型杂质扩散层和第二导电型杂质扩散层的多种杂质扩散层，以及设置在所提供的栅电极的下部的漏极区侧的鸟嘴形部大于设置在栅电极下部的源极区侧的鸟嘴形部。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 对称 结构 场效应 晶体管 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体硅基板；通过栅极氧化膜设置在所述半导体硅基板上的栅电极；在所述半导体硅基板的表面区域中的栅电极各侧设置成一对的源极区和漏极区；设置在所述半导体硅基板上的源极升高结构和漏极升高结构；设置在所述栅电极的所述源极区侧的第一侧壁间隔件；和鸟嘴形部，所述鸟嘴形部由分别设置在所述栅电极下部的源极区侧和漏极区侧的二氧化硅膜构成，所述漏极区具有至少包括第一导电型杂质扩散层和第二导电型杂质扩散层的多种杂质扩散层，以及所述漏极区侧的鸟嘴形部大于所述源极区侧的鸟嘴形部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尔必达存储器股份有限公司，未经尔必达存储器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610142102.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无刷直流电机及其制造方法
- 下一篇：低功率消耗和小电路面积温度感测器
- 同类专利
- 专利分类
