[发明专利]形成掩模结构的方法和使用其形成微小图形的方法有效
申请号: | 200610142919.X | 申请日: | 2006-10-31 |
公开(公告)号: | CN101135840A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 李斗烈;赵汉九;李昔柱;吕起成;高次元;丁成坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林宇清;谢丽娜 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在形成掩模结构的方法中,在衬底上形成第一掩模,第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形,该多个掩模图形部分在其间具有开口,该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层,直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后,由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。 | ||
搜索关键词: | 形成 结构 方法 使用 微小 图形 | ||
【主权项】:
1.一种制造掩模结构的方法,包括:在衬底上形成第一掩模,该第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形,该多个掩模图形部分在其间具有开口,该边角部分的内侧壁是弯曲的;在第一掩模上形成牺牲层;在牺牲层上形成硬掩模层;部分地除去该硬掩模层,直到邻近于边角部分的牺牲层被露出;以及除去牺牲层,以由开口中剩下的硬掩模层形成第二掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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