[发明专利]氮化储存记忆单元的多级操作有效
| 申请号： | 200610143122.1 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101110266A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;杨宇国;庄子庆;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多级氮化储存记忆单元的程序化方法，适于储存对应多个不同临界电压准位的不同的程序化状态。此方法为，提供一可变电阻，以提供多个不同电阻值。而且，将氮化储存记忆单元的一漏极端与所选定的电阻值的其中之一连接，而每一电阻值对应这些临界电压准位的其中之一。并且，通过所选定的电阻值的其中之一来施加一程序化电压至氮化储存记忆单元的漏极端，程序化氮化储存记忆单元，以储存相对应临界电压准位其中之一的一种程序化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 储存 记忆 单元 多级 操作 | ||
【主权项】：
1.一种多级氮化储存记忆单元的程序化方法，适于储存对应多种不同临界电压准位的不同程序化状态，该方法包括：提供一可变电阻，以提供多数个不同电阻值；将所述的氮化储存记忆单元的一漏极端与所选定的所述的电阻值的其中之一连接，而每一所述的电阻值对应所述的临界电压准位的其中之一；以及通过所选定的所述的电阻值的其中之一来施加一程序化电压至所述的氮化储存记忆单元的所述的漏极端，程序化该氮化储存记忆单元，以储存相对应所述的临界电压准位其中之一的一种程序化状态。
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