[发明专利]制作金属氧化物半导体晶体管的方法有效
| 申请号： | 200610143397.5 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101179027A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李坤宪;黄正同;丁世汎;洪文瀚;郑礼贤;郑子铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作MOS晶体管的方法，提供一包括有一栅极结构的基底。随后进行一预非晶化工艺，于该栅极结构两侧的该基底内形成一非晶化区域；并进行一共注入工艺，于该非晶化区域内注入一共注入掺杂质。进行一第一离子注入工艺与一第一快速退火工艺以形成一轻掺杂漏极。最后于该栅极结构两侧分别形成一间隙壁，以及形成一源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 金属 氧化物 半导体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括以下步骤：提供基底，该基底上包括至少一栅极结构；进行预非晶化工艺，以于该栅极结构两侧的该基底内形成非晶化区域；进行共注入工艺，以于该非晶化区域内注入共注入掺杂质；进行第一离子注入工艺，以于该非晶化区域内注入第一掺杂质；进行第一快速退火工艺，以活化该共注入掺杂质与该第一掺杂质，并使该非晶化区域再结晶，而于该栅极结构两侧的该基底内分别形成轻掺杂漏极；于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；以及于该间隙壁两侧的该基底内形成源极/漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610143397.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
