[发明专利]移除光致抗蚀剂层的方法以及开口的形成方法无效
| 申请号： | 200610143599.X | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101178549A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘安淇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种移除光致抗蚀剂层的方法，适用于一介电层，其中该介电层的上方有一图案化光致抗蚀剂层，而该介电层下方有一金属硅化物层，且于该介电层与该金属硅化物层之间还有一蚀刻终止层。此方法包括：以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该介电层，以于该介电层中形成一开口，其中该开口裸露出该金属硅化物层上的部分该蚀刻终止层。之后，以一无氧等离子体移除该图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 方法 以及 开口 形成 | ||
【主权项】：
1.一种移除光致抗蚀剂层的方法，适用于介电层，其中该介电层的上方有图案化光致抗蚀剂层，而该介电层下方有金属硅化物层，且于该介电层与该金属硅化物层之间还有蚀刻终止层，此方法包括：以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该介电层，以于该介电层中形成开口，其中该开口裸露出该金属硅化物层上的部分该蚀刻终止层；以及以无氧等离子体移除该图案化光致抗蚀剂层。
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