[发明专利]含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 200610144306.X | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101192739A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/10;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 隧道 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。
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