[发明专利]纳米阵列及其形成方法无效
| 申请号： | 200610144590.0 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101177237A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 赵志强;萧柏龄;赖美君 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B29C59/02;B29C33/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成纳米阵列的方法，包括：提供一模板，具有多个纳米孔洞；以该模板在一高分子基材上进行压印工艺；以及将该模板脱膜，在该高分子基材上形成多个纳米凸起物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米阵列，包括：高分子基材，具有多个纳米凸起物，与该基材一体成形，其中该纳米凸起物的顶部具有凹口或为弧形表面。
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