[发明专利]集电体、负极、以及电池无效
| 申请号： | 200610144798.2 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101183714A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 小西池勇;佐鸟浩太郎;川瀬贤一;广瀬贵一;岩间正之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/64 | 分类号： | H01M4/64;H01M4/66;H01M4/02;H01M4/38;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够使应力松弛并改善特性的集电体、使用该集电体的负极、和使用该集电体的电池。在集电体上设置包含Si的活性材料层。该集电体包含Cu。在通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。由此，即使当活性材料层由于充电和放电而膨胀和收缩时，可使应力松弛，并可防止活性材料层分离等。 | ||
| 搜索关键词： | 集电体 负极 以及 电池 | ||
【主权项】：
1.包含铜(Cu)作为构成元素的集电体，其中通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，至少在部分中作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610144798.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含杂环巯基化合物的烫发剂
- 下一篇：电光装置、其制造方法、照明装置及电子设备
